国产SiC衬底发力了！就在昨天，天岳先进新签订了一份8亿元的碳化硅订单。加上去年7月14亿大单，以及英飞凌、博世的订单，天岳先进已知在手订单超过22亿元。

据“行家说三代半”不完全统计，今年以来，国内外还有6桩SiC衬底采购案例，详情请往下看。

8月24日，天岳先进发布公告，他们与客户F签订了一份碳化硅采购协议，约定2024年至2026年向合同对方供应碳化硅产品，合同价值预估为8.048亿人民币。

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根据协议，该合同生效日至2026年12月31日，且协议生效后次月底前，客户F需向天岳先进支付1亿元保证金。

天岳先进的其他订单情况如下：

2022年7月，天岳先进获得SiC订单，订单金额约人民币13.93亿元。根据合同，2023年至2025年，天岳先进及其全资子公司上海天岳半导体将向“客户E”销售6英寸导电型碳化硅衬底产品。

今年4月，天岳先进披露了2022年年报，年报显示，2022年他们就与博世集团签署长期协议。

今年5月，天岳先进宣布与英飞凌签订了一项新的衬底和晶棒供应协议，将为英飞凌提供6英寸/8英寸SiC材料。

产能方面，今年5月，上海临港新片区管理委员会对外公示了《关于“天岳半导体碳化硅半导体材料项目（调整）”》的环评审批意见。

根据公告，调整后，6英寸碳化硅晶片生产规模扩大至96万片/年，产能将增加220%。

技术及研发方面，今年6月，天岳先进宣布采用液相法，制备出了全球首个8英寸SiC晶体。此外，在大尺寸单晶高效制备方面，天岳先进最新技术制备的晶体厚度已突破60mm。

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今年以来，行业内还有6桩碳化硅衬底订单，涉及企业包括东尼电子、天科合达、超芯星等。

东尼电子公布近100万片订单

1月10日，东尼电子发布公告称，其子公司湖州东尼半导体已于1月9日与下游客户T公司签订了《采购合同》，约定将于2023年向该客户交付13.5万片6英寸SiC衬底，其中SiC MOSFET比例不低于当月交货20%，含税单价5000元/片，销售金额合计6.75亿元。

此外，东尼电子公告还提到，2024年、2025年他们还将分别向该客户交付6英寸SiC衬底30万片和50万片，订单金额合计至少在40亿元以上。

5月3日，英飞凌与天科合达签订了长期协议，以确保获得更多而且具有竞争力的碳化硅材料供应。

天科合达主要为英飞凌供6英寸的碳化硅衬底，同时还将提供8英寸碳化硅材料，助力英飞凌向8英寸SiC晶圆的过渡。

5月26日，三菱电机官网宣布，他们已与Coherent（前 II-VI ）达成合作，双方将共同致力于扩大8英寸SiC器件的生产规模。

据悉，Coherent将为三菱电机未来在新工厂生产的SiC功率器件供应8英寸n型4H SiC衬底。三菱电机于今年3月中旬宣布建设新的8英寸SiC晶圆厂，该工厂将建在日本熊本县，主要用于生产8英寸SiC晶圆。

7月5日，瑞萨电子宣布与Wolfspeed签署了一份为期10年的碳化硅晶圆供应协议根据协议，瑞萨已向Wolfspeed支付了20亿美元（约144.9亿人民币）的定金，以确保6英寸/8英寸SiC晶圆的供应，并支持Wolfspeed的美国产能扩张计划。

7月27日，超芯星官微宣布，他们已与国内知名下游客户签订了8英寸碳化硅深度战略合作协议。

超芯星透露，他们已于2022年成功研制出8英寸碳化硅衬底，未来他们将根据客户的扩产进度，为其提供优质衬底。